-
1 GMR effect
1) galvanomagnetic recombination effect - гальваномагниторекомбинационный эффект, ГМР-эффектгипермагниторезистивный или магнитоконцентрационный эффект, который заключается в изменении средней концентрации носителей заряда в полупроводнике при воздействии продольного и/или поперечного магнитного поля; основа ГМР-преобразователя - полупроводникового резистора, управляемого магнитным полем2) giant magnetoresistance effect - эффект гигантского магнитного сопротивления (ГМС), или гигантского магнетосопротивления, ГМС-эффектквантовомеханический эффект, наблюдаемый в тонких плёнках, состоящих из чередующихся ферромагнитных и немагнитных слоёв; проявляется в существенном уменьшении электросопротивления в присутствии внешнего магнитного поля. ГМС было открыто независимо друг от друга в 1988-1989 гг. двумя группами учёных под руководством француза Альбера Фера и немца Петера Грюнберга, за что им была присуждена Нобелевская премия по физике за 2007 год. Благодаря технологиям, основанным на ГМС-эффекте, корпорации IBM удалось создать оригинальные головки для жёстких дисков и добиться значительной миниатюризации НЖД большой ёмкости - это первое по-настоящему эффективное применение одного из видов многообещающей нанотехнологииАнгло-русский толковый словарь терминов и сокращений по ВТ, Интернету и программированию. > GMR effect